收藏本站
Package Information
Vishay Siliconix
PowerPAIR TM 6 x 3.7 CASE OUTLINE
0.10 C
D
A
K2
K2
2X
Pin 6
Pin 5
Pin 4
Pin 4
Pin 5
Pin 6
D1
Pin #1 Ident
(Optional)
D1
Pin 1
Pin 2
Pin 3
2X
0.10 C
Pin 3
e
Pin 2
Pin 1
b
BACK SIDE V IEW
b 1
0.10 C
C
0.0 8
C
Z
MILLIMETERS
Z
INCHES
DIM.
A
A1
b
b1
C
D
D1
E
E1
E2
MIN.
0.70
0.00
0.46
0.20
0.18
3.65
2.41
5.92
2.62
0.87
NOM.
0.75
-
0.51
0.25
0.20
3.73
2.53
6.00
2.67
0.92
MAX.
0.80
0.05
0.56
0.38
0.23
3.81
2.65
6.08
2.72
0.97
MIN.
0.028
0.000
0.018
0.008
0.007
0.144
0.095
0.233
0.103
0.034
NOM.
0.030
-
0.020
0.010
0.008
0.147
0.100
0.236
0.105
0.036
MAX.
0.032
0.002
0.022
0.015
0.009
0.150
0.104
0.239
0.107
0.038
e
K
K1
K2
1.27 BSC
0.45 TYP.
0.66 TYP.
0.60 TYP.
0.05 BSC
0.018 TYP.
0.026 TYP.
0.024 TYP.
L
0.38
0.43
0.48
0.015
0.017
0.019
ECN: S-82772-Rev. B, 17-Nov-08
D W G: 5979
Document Number: 69028
17-Nov-08
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIZ710DT-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR
SIZ720DT-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR
SIZ902DT-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
SKY12322-86LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY12322-86
SKY12323-303LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY1232-303
SKY12324-73LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY12324-73
SKY12325-350LF-EVB BOARD EVAL FOR SKY12325-350
SKY12328-350LF-EVB BOARD EVAL FOR SKY12328-350
相关代理商/技术参数
SIZ702DT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
SIZ702DT_12 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
SIZ702DT-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIZ704DT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
SIZ704DT-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIZ710DT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs
SIZ710DT_12 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs
SIZ710DT-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 16A / 35A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube